馬曉華表示，6G應用將給現有的前端芯片提出新的挑戰。未來比較可行的是氮化鎵器件，在高頻、高效、帶寬和大功率等方面綜合表現突出。經過大量探索，馬曉華表示硅基氮化鎵材料研究在不斷地提升，不僅僅在性能構架和成本上有優勢，而且隨著外延材料不斷更新和工藝不斷發展，面向未來亞毫米波300GHz以上、太赫茲應用也是一個新的增長點。
圖文直播
2023-3-22 15:37:11
2023-3-22 14:26:47
吳林晟教授表示，未來6G技術可能會使用到毫米波和太赫茲頻段，采用多層疊加的結構，帶寬增加頻段數量也增加，通信和感知可能會融合，對前端系統多功能化提出需求，對于射頻前端系統的高集成度和可重構提出了需求。他指出，可重構的集成無源技術本身是射頻系統集成化、低功耗和多功能一體化發展的核心技術，當然也面臨高性能和小型化之間固有的矛盾等問題。上海交通大學已經做了初步嘗試，以基于砷化鎵全可重構耦合器為例，實現了功分比、相位差和中心頻率的全可調節和控制，同時目前損耗偏大。相信可重構的集成無源器件未來還會有更大的發展。
2023-3-22 14:08:38
陳智教授表示，很多專家都談到毫米波和太赫茲器件，這對系統來說非常重要。以往很多頻段是器件相對比較成熟，研究系統或者算法；但是太赫茲通信發展過程中，是系統和器件同步進展。陳智透露，中國在6G推進組太赫茲任務組做了很多跟標準推進相關工作，也出了相關的白皮書研究其愿景，進行相應測試原型的評估，甚至也進行了包括器件和信道方面專項的工作。我們希望通過努力，促進面向6G以及6G以后太赫茲通信器件和系統的快速發展。
2023-3-22 13:48:09
東南大學教授陳繼新圍繞6G相關芯片，特別是硅基毫米波太赫茲芯片課題發表了演講。他提到，在集成能力上面，硅基有它一定的優勢，這是它可以用于6G毫米波、太赫茲研究的一個立足點。按照集成化角度發展趨勢，硅基工藝有高密度集成的優點，特別是在陣列架構當中受到了比較多的重視，所以未來希望五到十年之內繼續推動硅基工藝進程，讓硅基特別是太赫茲頻段一些系統真正能夠進入到生活，成為消費電子級的產品之一。
2023-3-22 13:44:01
6G是全頻使用，并不完全是太赫茲頻段。太赫茲頻段能夠產生高密度模擬電路的狀態，高密度模擬電路相當于可以產生非常小的電流電壓分布或等效電流電壓分布，特別是多極化的電流電壓分布，意味著可以產生可編程空間的波束狀態，也就是為什么到了毫米波、太赫茲頻段以后，很多在低頻段實現不了的有趣的應用可以實現了，這些正在研究和發展之中。
2023-3-17 13:30:51
3月22日 10:30-12:30
主持人：
洪 偉，東南大學教授、未來移動通信論壇5G微波毫米波工作組主席
10:30-10:50
6G毫米波太赫茲技術展望
吳 柯，加拿大蒙特利爾大學教授、加拿大皇家科學院/工程院院士、IEEE MTT-S前主席
10:50-11:10
6G毫米波太赫茲封裝天線
薛 泉，海外高層次專家、華南理工大學電子與信息學院院長
章秀銀，國家杰青、華南理工大學電子與信息學院黨委書記
11:10-11:30
6G毫米波太赫茲芯片
陳繼新，東南大學首席教授
洪 偉，東南大學教授、未來移動通信論壇5G微波毫米波工作組主席
11:30-11:50
6G毫米波太赫茲GaN功率器件
馬曉華，教育部長江學者特聘教授、西安電子科技大學教授
11:50-12:10
6G太赫茲技術及標準
陳 智，電子科技大學教授
12:10-12:30
面向下一代無線通信的可重構集成無源器件技術
吳林晟，上海交通大學教授
12:30-12:50
毫米波和亞太赫茲的測試挑戰
Balaji Raghothaman，是德科技網絡解決方案事業部首席技術專家
